PDTD123EK,115 datasheet

 Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
  • Маркировка
    PDTD123EK,115
  • Производитель
    NXP Semiconductors
  • Описание
    NXP Semiconductors PDTD123EK,115 Current - Collector (ic) (max): 500mA Current - Collector Cutoff (max): 500nA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 Power - Max: 250mW Resistor - Base (r1) (ohms): 2.2K Resistor - Emitter Base (r2) (ohms): 2.2K Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 50V Other Names: 934058967115, PDTD123EK T/R
  • Количество страниц
    10 шт.
  • Формат
    PDF
    (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
  • Размер файла
    105,75 KB


PDTD123EK,115 datasheet скачать

PDTD123EK,115 datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.




Новости электроники

Еще новости
Золотая осень в ТМ Электроникс


Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.